삼성전자는 21일, 세계 최초로 40나노(1나노 : 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다고 밝혔다.

삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발한 바 있다. 이에 앞서 2007년 9월, 60나노급 DDR2 2Gb(1.8V), 지난해 9월에는 50나노급 DDR3 2Gb(1.5V) 양산을 시작했다.

▲ 삼성전자가 세계 최초로 40나노(1나노 : 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다.

회사측에 따르면, 이번에 양산한 40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다. 또 생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다.

아울러 삼성전자는 40나노급 2Gb DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다고 덧붙였다.

삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16GB 및 8GB 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션, 데스크톱 PC용 4GB 모듈(UDIMM) ▲노트북 PC용 4GB 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.

삼성전자는 앞으로도 차별화된 차세대 고용량, 고성능 D램 제품을 선행 개발해 업계 최고의 경쟁력 우위를 지속 유지해 나간다는 방침이다.

한편, 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면, DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다.

2Gb D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망된다.