삼성전자는 기존 모바일 D램 보다 8배 빠른 차세대 ‘WIDE IO 모바일 D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.

회사측에 따르면, 이번에 개발한 제품은 50나노급(나노: 10억분의 1) 공정을 적용한 1Gb(Giga bit) ‘WIDE IO 모바일 D램’으로, 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도 1.6GB/s보다 8배 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 가지고 있다. 이는 1초에 DVD급 영화 2편, 음악파일 3200곡을 전송할 수 있는 속도다.

삼성전자가 개발한 WIDE IO 모바일 D램

‘WIDE IO 모바일 D램’은 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개 보다 16배 많은 512개로 늘여, 초당 데이터 전송속도를 획기적으로 증가시켰고 소비전력도 87%를 절감할 수 있다고 회사측은 덧붙였다.

삼성전자는 지난해 12월 업계 처음으로 4Gb LPDDR2(Low Power DDR2) 모바일 D램을 개발한 데 이어, 이번에 ‘WIDE IO 모바일 D램’을 개발함으로써 스마트폰 및 태블릿 고객에게 더욱 차별화된 친환경 모바일 솔루션을 제공할 수 있게 됐다고 설명했다.

삼성전자는 이번에 개발된 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 기술을 기반으로 주요 고객과 개발 단계부터 협력을 강화, 2013년부터는 20나노급 미세공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 공급할 계획이다.

삼성전자 반도체사업부 전략마케팅팀 소병세 전무는 “초고속 ‘WIDE IO 모바일 D램’을 사용해 고객들이 더욱 성능을 높인 그린 모바일 기기를 개발할 수 있도록 할 것”이라며, “향후에도 대용량 고성능의 모바일용 그린 메모리 제품을 지속 개발해 모바일 시장의 성장을 견인해 나가겠다”고 말했다.

이와 관련, 삼성전자는 이달 20일부터 24일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 세계 3대 반도체 학회 중 하나인 국제반도체학술회의(ISSCC, The International Solid-State Circuits Conference)에서 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 기술 논문을 소개할 예정이다.

한편, 시장조사기관 아이서플라이는 모바일 기기당 D램 탑재 용량의 증가로 인해 전세계 D램 시장에서 모바일 D램 비중이 2010년 11%에서 2014년 17%로 꾸준히 증가할 것으로 예상했다.